Intel og Micron introduserte en ny type minne som heter 3D XPoint, leses som 3D Crosspoint. Teknologien tillater at minnet beveger seg nær prosessoren, som selskapene hevder vil tillate datamaskiner tilgang til store mengder data enda raskere enn eksisterende 3D NAND.

Dette fører til raskere lese- og skrivetider. Hastighetsforhøyelsen er omtrent 1000 ganger den på NAND, som allerede er 1000 ganger raskere enn tradisjonelle harddisker. Det har også 1000 ganger utholdenheten i dagens NAND-lagring og 10 ganger tettheten av solid state-stasjoner.

3D XPoint er det første minnesarkitektur-gjennombrudd på 25 år siden NANDs ankomst, sier tirsdag i en liten auditorium i San Francisco, California, Rob Crooke, Senior Vice President og General Manager for Intels ikke-flyktige Minne Solutions Group. 3D XPoint kan brukes til både minne og ikke-flyktig lagring.

For brukere, inkluderer fordelene med 3D XPoint spill med raskere gjengittider, høyfidelitetsmønstergjenkjenning for dataanalyse og genomforskning.

Mer lagringsplass

Behovet for datalagring øker bare. Intel prognoser at i de neste fem årene vil verden generere 44 zettabytes data, med hver zettabyte som består av en milliard terabyte.

Crooke sier at arkitekturen bringer minnet nærmere til prosessoren, slik at brukerne kan behandle data i et nyttig format. Det er 100 milliarder celler stablet på hver brikke ved hjelp av en unik bryter. Designet krever ikke at transistorer kommer til et krysspunktsformat. Den første versjonen inneholder 128 milliarder Gb på hvert dør spredt over to minnelag.

fordeler

Som et resultat kan data skrives til cellene individuelt i stedet for i blokkarrayer for tiden. Minne er skrevet på bitnivå.

Sjetongene er i produksjon på et felles anlegg med Intel, ifølge Adams. "Dette er ekte. Det er i våre [fabrikkanlegg]. Og vi planlegger å sende det til kunden vår."

Partnerne beskrev 3D XPoint som en ny kategori "på stedet fylles det i minnehierarkiet."

Når du blir bedt om å sammenligne 3D XPoint med eksisterende løsninger som 3D NAND og DRAM, sa Mark Adams, Microns president, at 3D XPoint bør betraktes som en helt ny klasse av minne, som beskriver den som "ondskapelig hurtig lagring".

Selv om 3D XPoint kan brukes til både lagring og minne, "bør du ikke tenke på dette som NAND eller DRAM," adams advarte. "Vi tror det vil bli brukt som både for ulike applikasjoner og forskjellige brukere."

Crooke sa at 3D XPoint gir forbedret syklus-evne og bedre ytelse. "Det er tett, raskt og ikke-flyktig."

3D XPoint er utviklet i fellesskap av Intel og Micron, men hvert selskap vil levere sitt eget produkt til markedet.

Selskapene ville ikke avsløre detaljer om partnerskapet, materialene som brukes til å lage 3D XPoint eller de økonomiske vilkårene. Intel sa at kostnadene for 3D XPoint ville være mellom DRAM og NAND.

Les vår dekning av Intel Skylake